Imec illustre la possibilité d’utiliser l’EUV à NA élevée pour la lithographie Ångström

La société Imec, basée à Louvain, a fait équipe avec ASML aux Pays-Bas pour démontrer la viabilité de la lithographie EUV High NA. L’entreprise présente des modèles raffinés créés à l’aide de cette technique, qui semble parfaitement adaptée aux procédés de demain.

ASML construit des machines EUV High NA et Imec montre maintenant qu’il est possible de les utiliser. Dans un laboratoire conjoint situé à Veldhoven aux Pays-Bas, les deux parties ont réussi à utiliser un dispositif EUV High NA pour construire des modèles et des structures logiques. Elles démontrent ainsi que les outils développés par ASML sont vraiment utilisables comme promis.

Éclairer des pochoirs

La lithographie est l’un des principaux procédés de fabrication des micropuces. Les composants des transistors et des circuits sont dessinés sur une tranche de silicium en projetant de la lumière à travers un pochoir. Mais, les composants à construire mesurent à peine quelques nanomètres et les dessins sur le pochoir sont si fins que la longueur d’onde de la lumière visible est beaucoup trop grande.

Des machines incroyablement complexes qui génèrent une lumière invisible avec une longueur d’onde élevée et donc petite, puis la focalisent à travers de tels pochoirs, rendent possible la production moderne de puces. ASML est le leader absolu du marché pour les produits haut de gammes, et c’est grâce aux machines EUV High NA du fabricant que TSMC et Intel pourront produire leurs futures gammes de produits.

Travailler avec des outils

Cependant, chaque nouvelle génération de machine est un nouvel outil. ASML développe un outil qui travaille plus finement avec une résolution plus élevée, mais on ne sait pas exactement comment l’utiliser pour obtenir des résultats précis. Imec mène actuellement des recherches dans ce domaine et les résultats d’aujourd’hui montrent que les machines EUV à haute résolution fonctionnent comme on l’espérait.

L’Imec a étudié à la fois les structures logiques et les modèles construits pour les DRAM. Ainsi, les chercheurs montrent que les appareils peuvent construire des structures complexes sur une tranche de silicium avec un seul pochoir et une seule exposition à la lumière, alors qu’il faut habituellement, avec d’autres appareils, plusieurs passages pour y parvenir. Ces appareils EUV High NA rendent donc possible une production plus précise, mais aussi plus efficace.

High NA EUV pour Ångström

High NA EUV signifie « High Numerical Aperture Extreme Ultra Violet », la première partie faisant référence à la grande ouverture et la seconde à la lumière invisible. Des machines EUV très sophistiquées permettent déjà de fabriquer les puces actuelles les plus modernes, et la nouvelle grande ouverture renforce ces capacités en les améliorant.

Les fabricants de puces ambitionnent de passer des nanomètres à l’Ångström. Un Ångström équivaut à dix nanomètres. Avec les procédés 3 nm qui arrivent et les variantes plus petites qui apparaissent à l’horizon, l’Ångström est une étape logique. Intel veut parler de 20 Ångström à partir de 2 nm et prévoit des procédés de 14 Ångström. TSMC planifie de passer à 16 Ångström. ASML et Imec montrent maintenant que les outils permettant de concrétiser ces projets fonctionnent correctement.

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